更新情報
- SiCウェハーへのDAFテープ貼り付け加工が可能となりました※2023.12～
- サイズダウン加工(例 6インチ⇒4インチ)が対応可能となりました※2021.11～
- シリコンウェハー+サポートガラス貼り合わせ受託加工(100μm～)を開始しました※2021.4～
- DAFテープダイシング加工が対応可能となりました※2019.6～
- TAIKO®ウェハー研削加工(6,8インチ)及びダイシング加工(6,8インチテープマウント、サークルカット)もご相談に応じます※2018.9～
- サファイア・SiC・GaAs・GAN・LT/LNの鏡面研磨加工(100μm～)が対応可能となりました※2018.1～
- サファイア・GaAs・水晶のダイシング加工が対応可能となりました※2017.10～
バックグラインド(BG)加工・ダイシングダミーチップ加工
シリコンウェハー、各種ガラス、セラミック、SiC、GaAs、サファイアの各種ウェハーのバックグラインド(BG裏面研磨、鏡面研磨加工)およびダイシングチップ加工を1枚から量産対応までお受け致します。
主な納入実績
デバイス、アッセンブリー、半導体製造装置、半導体材料各メーカー、大学研究室
1. シリコンウェハー BG加工
| 項目 | Unit | 仕様 | |
|---|---|---|---|
| サイズ | inch | 4、5 | 6、8、12 |
| 厚み | μm | 100～ | 50～ |
| 鏡面研磨 | inch | ドライポリッシュ、CMP | |
| ホイール | ♯ | 2000、6000、8000 | |
| 梱包 | プロトスキャリア(※縦置きも可) | ||
| 枚数 | lot | 1枚～ | |
| 備考 | 1.バンプ・MEMSウェハーも対応可能です | ||
| 2.6、8インチは最薄で30μmの実績があります | |||
BG加工品の一例
- 4インチパターンウェハーBG加工
仕様：30±5μm(裏面♯8000仕上げ)、ダイシングフレーム付
- 4インチ貫通穴ウェハー研削加工
仕様：300±20μm、ワックス固定
- 6インチTAIKOウェハー研削加工
仕様：外周500μm、内周90±10μm、リム幅5mm、スピンエッチング - 8インチTAIKOウェハー研削加工
仕様：外周725μm(元厚み)、内周75±10μm、リム幅3mm - 8インチミラーウェハーエッジトリミング+BG+ポリッシュ加工
仕様：50±10μm(エッジトリミング+裏面♯6000仕上げ+ドライポリッシュ)、ダイシングフレーム付 - 8インチ樹脂付きウェハー研削加工
仕様：樹脂部100μm研削♯2000仕上げ - 12インチミラーウェハーBG+ポリッシュ加工
仕様：100±10μm(裏面♯2000仕上げ+ドライポリッシュ)、プロトスケース梱包 - 12インチシリコンウェハーサポートガラス貼り合わせCMP研磨加工
仕様：Si+サポートガラス貼り合わせ/CMP80±10μm(表面粗さ改善、段差解消)
2-1. シリコンウェハー ダイシング加工
| 項目 | Unit | 仕様 | |
|---|---|---|---|
| サイズ | inch | 2～12 | |
| チップサイズ | mm | 0.3～(※最小で0.1mm実績有) | |
| 梱包 | プラダン(フレーム有・無)or フレームシッパー | ||
| 枚数 | lot | 1枚～ | |
| 備考 | 1.外観検査、チップトレイ詰め対応も可能です | ||
| 2.ダミーチップ、TEGチップの製作も承っております | |||
ダイシング加工の一例
- 6インチバックメタルチップ加工
成膜仕様：Ti50nm/Ag100nm
加工仕様：BG加工100μm、チップサイズ1.1×1.1mm、全数トレイ詰め - 6インチSIN(100nm)膜ウェハーチップ加工
チップサイズ10x10mm、500個トレイ詰め - 8インチTAIKOウェハーダイシング加工 加工仕様：5x5mm(※サークルカット⇒UV照射⇒リング除去⇒ダイシング)
- 8インチバックメタルチップ加工
成膜仕様：Ti50nm/Au100nm
加工仕様：BG加工100μm、チップサイズ0.7×0.7mm - 8インチTEGウェハーチップ加工
加工仕様：BG加工90μm、チップサイズ0.5×0.5mm - 12インチミラーウェハーDAFテープチップ加工
加工仕様：BG加工100μm、チップサイズ2x2mm
2-2. 各種ガラス、セラミック
| 項目 | Unit | 仕様 | |
|---|---|---|---|
| ダイシング | |||
| サイズ | 厚み0.2mm～ | チップサイズ0.8mm～ | |
| 枚数 | lot | 1枚～ | |
ダイシング加工の一例
- 50mm(t＝0.2)アルミナセラミックス基板ダイシング加工
加工仕様：チップサイズ4x3mm - 100mm(t＝0.3)合成石英ガラス基板ダイシング加工
加工仕様：チップサイズ1x1mm - 100mm(t＝0.7)無アルカリガラス基板ダイシング加工
加工仕様：チップサイズ10x10mm - 4インチテンパックスガラス基板チップ加工
加工仕様：研磨加工100μm、チップサイズ10x10mm - 6インチBK7(t＝1mm)ガラス基板チップ加工 加工仕様：チップサイズ30x30mm
- 窒化ケイ素基板チップ加工 加工仕様：チップサイズ10x10mm
2-3. SiCウェハー
| 項目 | Unit | 仕様 | |
|---|---|---|---|
| サイズ2～6インチ | |||
| 研磨 | ダイシング | ||
| サイズ | 厚み100μm～(鏡面研磨可) | チップサイズ1mm～ | |
| 枚数 | lot | 1枚～ | |
| 備考 | 1.４インチは最薄で仕上げ厚み50μm、6インチは80μmの実績があります | ||
| 2.バックメタルウェハー(Au・Ag)の研磨・ダイシング対応も可能です | |||
研磨・ダイシング加工の一例
- 2インチSiCウェハーバックメタルチップ加工
成膜仕様：C面Ti/Ag
加工仕様：Si面BG加工200μm、チップサイズ1.5×1.5mm - 4インチSiCウェハーバックメタルチップ加工
成膜仕様：C面Ti/Ni/Ag
加工仕様：Si面鏡面研磨加工100μm、チップサイズ4x4mm - 6インチSiCウェハーバックメタルチップ加工
成膜仕様：C面Ti/Ni/Au
加工仕様：チップサイズ2x2mm、全数トレイ詰め - 6インチSiCウェハー研磨加工+DAFテープ貼り付け
加工仕様：C面鏡面研磨加工80μm+DAFテープ貼り付け出荷
3. GaAsウェハー、サファイアウェハー
| 項目 | Unit | 仕様 | |
|---|---|---|---|
| サイズ2～6インチ | |||
| 研磨 | ダイシング | ||
| サイズ | 厚み100μm～ | チップサイズ0.3mm～ | |
| 枚数 | lot | 1枚～ | |
| 備考 | 1.GaAsウェハーは量産加工対応も可能です | ||
研磨・ダイシング加工の一例
- 3インチサファイア基板 仕様：鏡面研磨加工(100±10μm)
- 4インチサファイア基板(t＝1mm)チップ加工 仕様：10x50mm
- 4インチGaAs基板チップ加工
加工仕様：裏面BG研磨100μm、チップ加工0.3×0.3mm - 6インチGaAs基板研磨加工
加工仕様：裏面BG研磨90μm
その他の加工
- 2インチGaN基板チップ加工 仕様：鏡面研磨200±20μm、チップ加工2x2mm
- 30mm角窒化ケイ素基板研磨工 仕様：裏面研磨加工(300±10μm)
- シリコンウェハーサイズダウン加工・・・8インチ⇒4インチx2枚取り
- シリコンウェハーφ0.2mm穴あけ加工(厚さ要相談)
- シリコンウェハー2ndオリフラ追加工(形状相談)
- サファイアウェハーサイズダウン加工・・・6インチ⇒4インチ
- ウエハー再生研磨加工・・・膜除去後、研磨機にて鏡面研磨。6～12インチ対応
- ウェハー洗浄加工・・・パーティクル測定使用済みウェハーのRCA洗浄。洗浄後パーティクルレベル0.3μｍ≦50、2～12インチ対応